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| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 6116767 |  |
WAFERWORKS | 2007-06-18 | 半导体;晶片;积体电路;电路板;介面卡;印刷电路基板;积体电路脚座; | 查看详情 |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TWM244305 | 去除矽基板边缘氧化层之气相蚀刻装置 | 2004.09.21 | 本创作系为一种去除矽基板边缘氧化层之气相蚀刻装置，系将一形成有薄膜氧化层之矽基板，以该氧化层贴置于一 |
| 2 | TWI319224 | 长晶炉之温度调控装置 | 2010.01.01 | 本发明之长晶炉设有一坩埚以供盛放长晶之原料；其中，该坩埚底部设有温度调控装置，其温度调控装置包含有测 |
| 3 | TW200829730 | 双向气流场之长晶装置 | 2008.07.16 | 本发明之长晶装置系主要由一长晶炉中设有一坩锅、加热器以及一断热保温层，其加热器系环设于坩锅外围，而断 |
| 4 | TW200814138 | 多阶段沈积多晶矽薄膜应用于增加矽晶圆外质去疵能力及降低挠曲度之方法 | 2008.03.16 | 本发明系一种多阶段沈积多晶矽薄膜应用于增加矽晶圆外质去疵能力及降低挠曲度之方法，主要系于矽晶圆以一道 |
| 5 | TW478645 | 矽晶圆边缘氧化物之去除装置 | 2002.03.01 | 本创作提供一种去除矽晶圆边缘氧化物之装置，为一种特别设计之研磨工具，可以按需要磨除矽晶圆边缘氧化物而 |
| 6 | TW200826257 | 长晶炉之温度调控装置 | 2008.06.16 | 本发明之长晶炉设有一坩埚以供盛放长晶之原料;其中,该坩埚底部设有温度调控装置,其温度调控装置包含有测 |
| 7 | CN104103679B | 低应力的外延硅晶片 | 2017.04.12 | 一种低应力的外延硅晶片包含：硅衬底、形成于硅衬底上的第一硅外延层，以及形成于第一硅外延层上的第二硅外 |
| 8 | TWI498944 | 低应力之磊晶用的矽晶圆 | 2015.09.01 | |
| 9 | TWI478230 | 矽晶太阳能电池及其制作方法 | 2015.03.21 | |
| 10 | TWI474392 | 矽晶太阳能电池基板的制作方法 | 2015.02.21 | |
| 11 | CN104103679A | 低应力的外延硅晶片 | 2014.10.15 | 一种低应力的外延硅晶片包含：硅衬底、形成于硅衬底上的第一硅外延层，以及形成于第一硅外延层上的第二硅外 |
| 12 | TW201432806 | 矽晶太阳能电池及其制作方法 | 2014.08.16 | 本发明揭示一种矽晶太阳能电池及其制作方法,制作方法包含以下步骤:(a)将一矽晶块材浸泡于一含硝酸银及 |
| 13 | CN203674177U | 气相蚀刻装置 | 2014.06.25 | 本实用新型公开一种气相蚀刻装置，用以对待处理晶圆的边缘进行蚀刻。气相蚀刻装置包含座体、承载平台及环状 |
| 14 | CN103296137A | 硅晶太阳能电池基板的制作方法 | 2013.09.11 | 硅晶太阳能电池基板的制作方法包含：将硅晶块材浸于硝酸银及含水氢氟酸的溶液中使硝酸银与硅晶块材持续产生 |
| 15 | CN101740525B | 晶背的封装结构 | 2012.10.17 | 本发明关于一种晶背的封装结构，所述包括一半导体基材以及一多层结构层，所述多层结构层设置于所述半导体基 |
| 16 | CN102487072A | 硅晶片背面的封装结构 | 2012.06.06 | 本发明公开了一种硅晶片背面的封装结构，其包含有一半导体基材以及一多层结构层；多层结构层设于半导体基材 |
| 17 | 多阶段沈积多晶矽薄膜应用于增加矽晶圆外质去疵能力及降低挠曲度之方法 | 2011.05.01 | ||
| 18 | CN101942693A | 具有保护层的石英玻璃坩埚及其制造方法 | 2011.01.12 | 本发明公开了一种具有保护层的石英玻璃坩埚的制造方法，其包括提供一石英玻璃坩埚本体；于该石英玻璃坩埚本 |
| 19 | CN101740525A | 晶背的封装结构 | 2010.06.16 | 本发明关于一种晶背的封装结构，所述包括一半导体基材以及一多层结构层，所述多层结构层设置于所述半导体基 |
| 20 | TWI315889 | 高吸杂能力及高平坦度之矽晶片及其制造方法 | 2009.10.11 | 本发明提供一种高吸杂能力(High gettering ability)及高平坦度之矽晶片及其制造方 |
| 21 | TW200820332 | 高吸杂能力及高平坦度之矽晶片及其制造方法 | 2008.05.01 | 本发明提供一种高吸杂能力(High gettering ability)及高平坦度之矽晶片及其制造方 |
| 22 | TWM307625 | 长晶炉之坩埚盖结构改良 | 2007.03.11 | 本创作之坩埚盖系设于坩埚之开口处，主要用以降低热能损失，调整温度梯度，以及减少材料成长缺陷；其改良在 |
| 23 | TW200609993 | 具完整边缘之接合晶圆及其制法 | 2006.03.16 | 本发明系一种具完整边缘之接合晶圆及其制法，系于一承载层晶圆上接合一幅长(bevel length)较 |
| 24 | TWI241629 | 具完整边缘之接合晶圆及其制法 | 2005.10.11 | 本发明系一种具完整边缘之接合晶圆及其制法，系于一承载层晶圆上接合一幅长(bevel length)较 |
| 25 | TWM262834 | 具完整边缘之接合晶圆 | 2005.04.21 | 本创作系一种具完整边缘之接合晶圆，系于一承载层晶圆上接合一幅长(bevel length)较短的元件 |
| 26 | TW465802 | 去除边缘氧化物之矽晶圆基板材料 | 2001.11.21 | 本创作提供一种去除边缘氧化物之矽晶圆基板材料，利用一种特别设计之研磨工具，按需要磨除矽晶圆基板材料背 |
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